姓名：刘林生
性别：男
职称： 副教授
任职情况：
社会兼职：
最后学历：博士
一、学习、工作经历：（大学起）
1998-2002 兰州大学 本科 半导体器件与微电子学专业
2002-2007 兰州大学 博士 微电子学与固体电子学专业
2007-2008 法国巴黎国家科学研究中心光子学与纳米结构实验室 博士后
2009-2013 北京市科学技术研究院与北京工业大学 博士后
2013-2014希腊国家研究与技术基金会电子结构与激光研究所 博士后
2015-2017 中国科学院半导体研究所 助理研究员
2017-至今 广西师范大学电子工程学院
二、研究方向：
半导体材料与器件(如光电探测器，激光器，纳米线，SiC功率器件等)，液相等离子体纳米材料制备与器件，超级电容器
三、主讲课程：
半导体物理与器件，C语言
四、主持/参加科研、教改项目（标注是在研或已完成）：
主持北京市留学人员科技活动项目择优资助（重点类）1项，参与中科院重大JG项目，科技部重点专项，国家自然科学基金面上项目和重点项目各1项。
五、发表的主要论文或授权的专利：
在Nano Letters，Applied Physics Letters，Journal of Crystal Growth，《物理学报》和Optics Communications等刊物发表论文22篇，合作专业著作1章，其中第一作者发表9篇，SCI检索2篇，EI检索5篇，被引用近300次.
主要论文:
[1] L.S. Liu, W.X. Wang, Z.H. Li, B.L. Liu, H.M. Zhao, J. Wang,H.C. Gao, Z.W. Jiang, S. Liu, H. Chen, J.M. Zhou.Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (1 1 0) quantum wells. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302: 93-96. (SCI和EI收录，影响因子1.950)
[2] 刘林生, 刘肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王佳, 黄庆安, 陈弘, 周均铭. 关于RHEED振荡技术优化GaAs（110）量子阱生长的研究. 物理学报, 2007, 56(6): 3355-3359.（SCI和EI收录，影响因子1.277）
[3] 刘林生, 刘肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 高汉超, 蒋中伟, 王佳, 黄庆安, 陈弘, 周均铭. GaAs (110)量子阱的电子自旋驰豫. 半导体学报，2007，28(6): 856-859.（EI收录）
[4] 刘林生, 王文新, 刘肃, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王佳, 黄庆安, 陈弘, 周均铭. 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料的研究. 半导体学报, 2007, 28(9):1411-1414 .（EI收录）
[5] 刘林生, 刘肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王佳, 黄庆安, 陈弘, 周均铭. GaAs（110）量子阱材料生长和光学特性的实验研究. 光学精密工程，2007,15(5):678-683（EI收录）
[6] 刘林生, 刘肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王佳, 陈弘, 周均铭. 半导体自旋电子学的研究与应用进展. 电子器件, 2007, 30(3):1125-1128. (北大中文核心、中国科技核心）
[7] 刘林生，张东，陈建新，IEEE1149.4标准实验测试结构设计和扩展研究. 电子测试，2012，5：1-6.（中国科技核心）
[8] 刘林生，张东，印制电路板在线故障诊断技术探讨. 电子测量与仪器学报，2010，24：158-161.（北大中文核心）
[9] 刘林生，刘肃，黄庆安. MEMS薄膜磁学特性的在线测试结构. 微纳电子技术，2005，4：184-187.（北大中文核心）
[10] Harmand Jean-Christophe, Liu Linsheng, Patriarche Gilles, Tchernycheva Maria, Akopian Nikolai, Perinetti Umberto, Zwiller Valery. Potential of semiconductor nanowires for single photon sources. Proceedings of the SPIE, 2009, 7222: 722219 (Invited paper，EI收录).
[11] Guipeng Liu, Wenjie Chen, Linsheng Liu, et al. A Theory study of the multiplication characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiodes with double multiplication layers and double charge layers, Optics Communications, 2016, 374: 114-118.（SCI和EI收录，影响因子1.449）
[12] Harmand Jean-Christophe,Jabeen, Fauzia, Liu Linsheng,Patriarche Gilles, Gauthron Karine, Senellart Pascale, Elvira David,BeveratosAlexios. InP1-xAsx quantum dots in InP nanowires: A route for single photon emitters. Journal of Crystal Growth, 2013, 378: 519-523.(SCI和EI收录，影响因子1.950)
[13] N. Akopian, G. Patriarche,L. Liu, J.-C.Harmand and V. Zwiller.Crystal Phase Quantum Dots.Nano Lett., 2010, 10 (4), 1198–1201 (SCI和EI收录，影响因子13.779，被引用178次).
[14] ZhiHua Li, Wen Xin Wang, Lin Sheng Liu, Han Chao Gao, Zhong Wei Jiang, Jun Ming Zhou, Hong Chen. Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302: 181-184. (SCI和EI收录，影响因子1.950)
[15] 李志华, 王文新, 刘林生, 蒋中伟, 高汉超, 周均铭. As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响. 物理学报，2007，56(3): 1785-1789. （SCI和EI收录，影响因子1.277）
[16] F. Lloret, D. Araujo, M.P. Villar, L. Liu and K. Zekentes. Si NWs conversion to Si-SiC core-shell NWs by MBE. Materials Science Forum, 2015, 821-823: 965-969.（EI收录）
[17] Baoli Liu, Hongming Zhao, Jia Wang, Linsheng Liu, Wenxin Wang, Dongmin Chen, Haijun Zhu. Electron density dependence of in-plane spin relaxation anisotropy in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas. Applied Physics Letters, 2007, 90: 112111.（SCI和EI收录，影响因子3.596，被引用43次）
[18] HanchaoGao, Wenxin Wang, Zhongwei Jiang, Linsheng Liu, Junming Zhou, Hong Chen, The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2007, 308: 406-411.（SCI和EI收录，影响因子1.950）
[19] Zhongwei Jiang, Wenxin Wang, HanchaoGao, Linsheng Liu, Hong Chen, Junming Zhou. Strain relaxation and surface morphology of high indium content InAlAs metamorphic buffers with reverse step. Applied Surface Science, 2008, 254: 5241-5246.（SCI和EI收录，影响因子3.150）
[20] H L Zhou, T B Hoang, D L Dheeraj, A T J van Helvoort, L Liu, J C Harmand, B O Fimland, H Weman. Wurtzite GaAs/AlGaAs core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy. Nanotechnology, 2009,20:415701.（SCI和EI收录，影响因子3.672，被引49次，）
六、获奖情况：