湖南大学孟优教授莅临我院作“碲半导体与器件”主题学术报告
10月16日下午15:00，湖南大学孟优教授受邀莅临我院，在电子楼320会议室开展题为“碲半导体与器件”的学术报告。本次报告会由学院行政主要负责人主持，学院骨干教师及研究生代表参会。
报告中，孟优教授围绕碲半导体材料的研究背景、技术突破及应用前景展开深度分享。他首先指出，互补金属氧化物半导体（CMOS）具有低功耗、高抗噪和高集成度等优点，是现代信息技术的基础。然而，局域化价带和自补偿缺陷阻碍了p型无机半导体的空穴传输，难以与n型无机半导体形成有效互补，制约了CMOS技术的发展。近年来，碲（Te）半导体被认为是实现高空穴迁移率p型晶体管的理想材料体系。基于此，孟优教授及其团队首先开发了适用于Te半导体的规模化构筑方法，包括多尺度范德华外延和低温后氧注入工艺，获得了高空穴迁移率p型晶体管阵列。进而，探究了Te半导体的光热电效应和应力调控铁电极化机制，实现了全光谱探测和高性能机械能收集。最后，通过提高全流程的后端工艺兼容性，实现了低功耗Te基器件和CMOS电路的集成。相关的研究成果为大面积、高性能、低功耗Te半导体材料与器件的开发提供了理论依据和技术支持。
报告结束后，现场进入热烈的讨论互动环节。参会教师围绕碲半导体规模化制备的技术难点、与CMOS电路集成的优化方向等内容，与孟优教授展开深度学术交流，学院师生们在思想碰撞中进一步明晰了研究思路，受益匪浅。
此次学术报告呈现了碲半导体与器件领域的前沿技术成果与研究方向，为学院师生搭建了知识交流平台，帮助师生及时把握领域研究动态，促进跨方向学术碰撞，为科研创新注入新的活力。
孟优教授开展“碲半导体与器件”主题学术报告
学术报告会现场